Infineon Technologies IRG7PH50UPBF

工厂交货时间

14 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

引脚数

3

质量

38.000013g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2kV

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.7V

Number of Elements

1

Test Conditions

600V, 50A, 5 Ω, 15V

Turn Off Delay Time

430 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

已出版

2004

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

556W

上升时间-最大值

60ns

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

接通延迟时间

35 ns

功率 - 最大

556W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

2V

最大集电极电流

140A

JEDEC-95代码

TO-247AC

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

接通时间

75 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2V @ 15V, 50A

关断时间-标准值（toff)

710 ns

IGBT类型

Trench

闸门收费

290nC

集极脉冲电流（Icm）

150A

Td（开/关）@25°C

35ns/430ns

开关能量

3.6mJ (on), 2.2mJ (off)

栅极-发射极Thr电压-最大值

6V

最大下降时间 (tf)

65ns

高度

20.7mm

长度

15.87mm

宽度

5.31mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅