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首页 全部分类 APT75GP120J vs APT75GT120JU2

APT75GP120J备选型号: APT75GT120JU2

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  • 端子位置
  • 终端形式
  • 额定电流
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  • 配置
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 输入
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最大集极截止电流
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 输入电容
  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • NTC热敏电阻
  • 输入电容(Cies)@Vce
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 功率 - 最大
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • VCEsat-最大值
  • Microsemi Corporation
    APT75GP120J
    Microsemi Corporation
    Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 128A 4-Pin SOT-227
    23 Weeks
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    ISOTOP
    4
    30.000004g
    SILICON
    1.2kV
    3.3V
    -55°C~150°C TJ
    POWER MOS 7®
    1999
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    ULTRA FAST, LOW CONDUCTION LOSS
    1.2kV
    543W
    UPPER
    UNSPECIFIED
    128A
    4
    Single
    ISOLATED
    20 ns
    电源控制
    N-CHANNEL
    Standard
    1.2kV
    128A
    1mA
    1200V
    7.04nF
    60 ns
    3.9V @ 15V, 75A
    359 ns
    PT
    无
    7.04nF @ 25V
    9.6mm
    38.2mm
    25.4mm
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    APT75GT120JU2
    Microsemi Corporation
    IGBT MOD 1200V 100A 416W SOT227
    36 Weeks
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    ISOTOP
    4
    30.000004g
    SILICON
    1.2kV
    1.7V
    -55°C~150°C TJ
    -
    2004
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    AVALANCHE RATED, LOW CONDUCTION LOSS
    -
    416W
    UPPER
    UNSPECIFIED
    -
    4
    Single
    ISOLATED
    -
    电源控制
    N-CHANNEL
    Standard
    1.2kV
    100A
    5mA
    1200V
    5.34nF
    335 ns
    2.1V @ 15V, 75A
    610 ns
    沟渠现场停车
    无
    5.34nF @ 25V
    9.6mm
    38.2mm
    25.4mm
    符合RoHS标准
    无铅
    IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)
    416W
    20V
    2.1 V
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