您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 APT80GA60B vs APT50GT60BRDQ2G

APT80GA60B备选型号: APT50GT60BRDQ2G

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 最大功率耗散
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 箱体转运
  • 输入类型
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • JEDEC-95代码
  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • 连续集电极电流
  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • 闸门收费
  • 集极脉冲电流（Icm）
  • Td（开/关）@25°C
  • 开关能量
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 系列
  • ECCN 代码
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 反向恢复时间
  • 无铅
  • Microsemi Corporation
    APT80GA60B
    Microsemi Corporation
    Trans IGBT Chip N-CH 600V 143A 3-Pin(3 Tab) TO-247
    33 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    38.000013g
    SILICON
    600V
    2V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    1999
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    纯哑光锡
    低导通损耗
    625W
    3
    R-PSFM-T3
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    600V
    143A
    TO-247AD
    52 ns
    2.5V @ 15V, 47A
    143A
    326 ns
    PT
    230nC
    240A
    23ns/158ns
    840μJ (on), 751μJ (off)
    30V
    6V
    21.46mm
    16.26mm
    5.31mm
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    APT50GT60BRDQ2G
    Microsemi Corporation
    Trans IGBT Chip N-CH 600V 110A 3-Pin(3 Tab) TO-247
    25 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    38.000013g
    SILICON
    600V
    2V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    1999
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    -
    446W
    3
    R-PSFM-T3
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    600V
    110A
    -
    46 ns
    2.5V @ 15V, 50A
    110A
    365 ns
    NPT
    240nC
    150A
    14ns/240ns
    995μJ (on), 1070μJ (off)
    30V
    5V
    5.31mm
    21.46mm
    16.26mm
    无
    符合RoHS标准
    Thunderbolt IGBT®
    EAR99
    600V
    110A
    22 ns
    无铅
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
APT50GT60BRDQ2G APT50GT60BRDQ2G Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 单个 TO-247-3 Trans IGBT Chip N-CH 600V 110A 3-Pin(3 Tab) TO-247 对比
IRG4PC50UDPBF IRG4PC50UDPBF Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 单个 TO-247-3 IGBT 600V 55A 200W TO247AC 对比
IRG4PC50UPBF IRG4PC50UPBF Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 单个 TO-247-3 IGBT 600V 55A 200W TO247AC 对比