APT80GA60B备选型号: IRG4PC50UDPBF
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 质量
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 箱体转运
- 输入类型
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- JEDEC-95代码
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 连续集电极电流
- 关断时间-标准值(toff)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 引脚数
- 终端
- ECCN 代码
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 反向恢复时间
- 输入电容
- 最大结点温度(Tj)
- 达到SVHC
- 无铅
- Trans IGBT Chip N-CH 600V 143A 3-Pin(3 Tab) TO-24733 Weeks通孔通孔TO-247-338.000013gSILICON600V2V-55°C~150°C TJTube1999e3yes活跃1 (Unlimited)3纯哑光锡低导通损耗625W3R-PSFM-T3SingleCOLLECTORStandard电源控制N-CHANNEL600V143ATO-247AD52 ns2.5V @ 15V, 47A143A326 nsPT230nC240A23ns/158ns840μJ (on), 751μJ (off)30V6V21.46mm16.26mm5.31mm无符合RoHS标准-------------
- IGBT 600V 55A 200W TO247AC14 Weeks通孔通孔TO-247-338.000013gSILICON600V2V-55°C~150°C TJTube2001--最后一次购买1 (Unlimited)3-超快软恢复200W--SingleCOLLECTORStandard电源控制N-CHANNEL600V55ATO-247AC71 ns2V @ 15V, 27A55A370 ns-180nC220A46ns/140ns990μJ (on), 590μJ (off)20V6V24.99mm15.87mm5.3086mm无ROHS3 Compliant3通孔EAR99600V55A200W46 ns25ns50 ns4nF150°C无SVHCContains Lead, Lead Free
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | APT50GT60BRDQ2G | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 110A 3-Pin(3 Tab) TO-247 | 对比 |
![]() | IRG4PC50UDPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 600V 55A 200W TO247AC | 对比 |
![]() | IRG4PC50UPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 600V 55A 200W TO247AC | 对比 |




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