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首页 全部分类 APT80GA60B vs IGW75N60TFKSA1

APT80GA60B备选型号: IGW75N60TFKSA1

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  • IGBT类型
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  • 开关能量
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 表面安装
  • 系列
  • ECCN 代码
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • 配置
  • 功率 - 最大
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • Microsemi Corporation
    APT80GA60B
    Microsemi Corporation
    Trans IGBT Chip N-CH 600V 143A 3-Pin(3 Tab) TO-247
    33 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    38.000013g
    SILICON
    600V
    2V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    1999
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    纯哑光锡
    低导通损耗
    625W
    3
    R-PSFM-T3
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    600V
    143A
    TO-247AD
    52 ns
    2.5V @ 15V, 47A
    143A
    326 ns
    PT
    230nC
    240A
    23ns/158ns
    840μJ (on), 751μJ (off)
    30V
    6V
    21.46mm
    16.26mm
    5.31mm
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IGW75N60TFKSA1
    Infineon Technologies
    IGBT 600V 150A 428W TO247-3
    16 Weeks
    -
    通孔
    TO-247-3
    -
    SILICON
    400V, 75A, 5 Ω, 15V
    -
    -40°C~175°C TJ
    Tube
    2008
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin (Sn)
    -
    -
    3
    R-PSFM-T3
    -
    COLLECTOR
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    -
    -
    TO-247AD
    69 ns
    2V @ 15V, 75A
    -
    401 ns
    沟渠现场停车
    470nC
    225A
    33ns/330ns
    4.5mJ
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    NO
    TrenchStop®
    EAR99
    SINGLE
    未说明
    未说明
    不合格
    SINGLE
    428W
    600V
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