APT80GA90LD40备选型号: APT70GR120L

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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 操作温度
  • 功率 - 最大
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 无铅
  • Microsemi Corporation
    Trans IGBT Chip N-CH 900V 145A 3-Pin(3 Tab) TO-264
    29 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-264-3, TO-264AA
    900V
    Tube
    POWER MOS 8™
    1999
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    150°C
    -55°C
    低导通损耗
    625W
    3
    R-PSFM-T3
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    900V
    145A
    25 ns
    49 ns
    3.1V @ 15V, 47A
    320 ns
    PT
    200nC
    239A
    18ns/149ns
    1652μJ (on), 1389μJ (off)
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    IGBT 1200V 160A 961W TO264
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-264-3, TO-264AA
    1.2kV
    Tube
    -
    2001
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    961W
    -
    -
    Single
    -
    Standard
    -
    N-CHANNEL
    3.2V
    160A
    -
    -
    3.2V @ 15V, 70A
    -
    NPT
    544nC
    280A
    33ns/278ns
    3.82mJ (on), 2.58mJ (off)
    -
    符合RoHS标准
    -55°C~150°C TJ
    961W
    1200V
    30V
    6.5V
    无铅
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