Microsemi Corporation APT80GA60LD40

工厂交货时间

33 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-264-3, TO-264AA

质量

10.6g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Collector-Emitter Saturation Voltage

2V

Number of Elements

1

Test Conditions

400V, 47A, 4.7 Ω, 15V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

POWER MOS 8™

已出版

1999

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

附加功能

低导通损耗

最大功率耗散

625W

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

600V

最大集电极电流

143A

反向恢复时间

22 ns

接通时间

52 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.5V @ 15V, 47A

连续集电极电流

143A

关断时间-标准值（toff)

326 ns

IGBT类型

PT

闸门收费

230nC

集极脉冲电流（Icm）

240A

Td（开/关）@25°C

23ns/158ns

开关能量

840μJ (on), 751μJ (off)

高度

5.21mm

长度

26.49mm

宽度

20.5mm

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准