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首页 全部分类 APT80GP60J vs APT100GT60JR

APT80GP60J备选型号: APT100GT60JR

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  • 安装类型
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  • 端子位置
  • 终端形式
  • 额定电流
  • 引脚数量
  • 配置
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 输入
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最大集极截止电流
  • 输入电容
  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • NTC热敏电阻
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 输入电容(Cies)@Vce
  • RoHS状态
  • 无铅
  • Microsemi Corporation
    APT80GP60J
    Microsemi Corporation
    IGBT MOD 600V 151A 462W ISOTOP
    30 Weeks
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    ISOTOP
    4
    SILICON
    600V
    -55°C~150°C TJ
    POWER MOS 7®
    1999
    e1
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    4
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    低导通损耗
    600V
    462W
    UPPER
    UNSPECIFIED
    151A
    4
    Single
    ISOLATED
    电源控制
    N-CHANNEL
    Standard
    600V
    151A
    1mA
    9.84nF
    87 ns
    2.7V @ 15V, 80A
    284 ns
    PT
    无
    20V
    9.84nF @ 25V
    符合RoHS标准
    无铅
  • Microsemi Corporation
    APT100GT60JR
    Microsemi Corporation
    IGBT MOD 600V 148A 500W ISOTOP
    24 Weeks
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    ISOTOP
    4
    SILICON
    600V
    -55°C~150°C TJ
    Thunderbolt IGBT®
    1999
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    -
    UL 认证
    600V
    500W
    UPPER
    UNSPECIFIED
    148A
    4
    Single
    ISOLATED
    电源控制
    N-CHANNEL
    Standard
    600V
    148A
    25μA
    5.15nF
    115 ns
    2.5V @ 15V, 100A
    450 ns
    NPT
    无
    30V
    5.15nF @ 25V
    符合RoHS标准
    无铅
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