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APT80GP60J备选型号: APT200GT60JR
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 额定电流
- 引脚数量
- 配置
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 输入
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最大集极截止电流
- 输入电容
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
- 关断时间-标准值（toff)
- IGBT类型
- NTC热敏电阻
- 栅极-发射极电压-最大值
- 输入电容(Cies)@Vce
- RoHS状态
- 无铅
- 功率 - 最大
IGBT MOD 600V 151A 462W ISOTOP30 WeeksChassis Mount, Screw底座安装ISOTOP4SILICON600V-55°C~150°C TJPOWER MOS 7®1999e1yes不用于新设计1 (Unlimited)4Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)低导通损耗600V462WUPPERUNSPECIFIED151A4SingleISOLATED电源控制N-CHANNELStandard600V151A1mA9.84nF87 ns2.7V @ 15V, 80A284 nsPT无20V9.84nF @ 25V符合RoHS标准无铅-
Trans IGBT Chip N-CH 600V 195A 4-Pin SOT-22724 WeeksChassis Mount, Screw底座安装SOT-227-4, miniBLOC4SILICON600V-55°C~150°C TJThunderbolt IGBT®1999-yes活跃1 (Unlimited)4-HIGH RELIABILITY, UL RECOGNIZED-500WUPPERUNSPECIFIED-4SingleISOLATED电源控制N-CHANNELStandard600V195A25μA8.65nF228 ns2.5V @ 15V, 200A1232 nsNPT无-8.65nF @ 25V符合RoHS标准-500W- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| APT100GT60JR | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 模块 | ISOTOP | IGBT MOD 600V 148A 500W ISOTOP | 对比 |
| APT200GT60JR | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 模块 | SOT-227-4, miniBLOC | Trans IGBT Chip N-CH 600V 195A 4-Pin SOT-227 | 对比 |
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