APT85GR120B2备选型号: NGTB40N120L3WG

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • ECCN 代码
  • 最大功率耗散
  • 元素配置
  • 输入类型
  • 功率 - 最大
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
  • IGBT类型
  • 闸门收费
  • 集极脉冲电流(Icm)
  • Td(开/关)@25°C
  • 开关能量
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 无铅代码
  • 反向恢复时间
  • 达到SVHC
  • Microsemi Corporation
    Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 170A 3-Pin(3 Tab) T-MAX
    19 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    1.2kV
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2001
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    962W
    Single
    Standard
    962W
    1.2kV
    170A
    1200V
    3.2V @ 15V, 85A
    NPT
    660nC
    340A
    43ns/300ns
    6mJ (on), 3.8mJ (off)
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    IGBT 1200V 160A TO247
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    1.2kV
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2009
    活跃
    不适用
    -
    454W
    -
    Standard
    454W
    2V
    160A
    1200V
    2V @ 15V, 40A
    沟渠现场停车
    220nC
    -
    18ns/150ns
    1.5mJ (on), 1.5mJ (off)
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    1.55V
    yes
    86 ns
    无SVHC
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
NGTB40N120FL3WG NGTB40N120FL3WG ON Semiconductor 晶体管 - IGBT - 单个 TO-247-3 IGBT 1200V 160A TO247 对比
IXYH82N120C3 IXYH82N120C3 IXYS 晶体管 - IGBT - 单个 TO-247-3 IGBT 1200V 200A 1250W TO247AD 对比
IRG7PH50UPBF IRG7PH50UPBF Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 单个 TO-247-3 IGBT 1200V 140A 556W TO247AC 对比