ON Semiconductor NGTB40N120L3WG

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

工厂交货时间

18 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

引脚数

3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2kV

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.55V

Test Conditions

600V, 40A, 10 Ω, 15V

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

已出版

2009

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

不适用

最大功率耗散

454W

输入类型

Standard

功率 - 最大

454W

集电极发射器电压(VCEO)

2V

最大集电极电流

160A

反向恢复时间

86 ns

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2V @ 15V, 40A

IGBT类型

沟渠现场停车

闸门收费

220nC

Td（开/关）@25°C

18ns/150ns

开关能量

1.5mJ (on), 1.5mJ (off)

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅