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首页 全部分类 APT8M100B vs STW23N85K5

APT8M100B备选型号: STW23N85K5

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  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 引脚数
  • 系列
  • ECCN 代码
  • Reach合规守则
  • 基本部件号
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 漏源击穿电压
  • Microsemi Corporation
    APT8M100B
    Microsemi Corporation
    Trans MOSFET N-CH 1KV 8A 3-Pin(3 Tab) TO-247
    IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)
    23 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    38.000013g
    SILICON
    8A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    1997
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    锡银铜
    FAST SWITCHING, AVALANCHE RATED
    1kV
    SINGLE
    未说明
    8A
    未说明
    3
    R-PSFM-T3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    290W
    DRAIN
    8.5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.8 Ω @ 4A, 10V
    5V @ 1mA
    1885pF @ 25V
    60nC @ 10V
    7.8ns
    1000V
    ±30V
    7.2 ns
    8A
    TO-247AB
    30V
    7.3A
    27A
    5.31mm
    21.46mm
    16.26mm
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STW23N85K5
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 850V 19A TO-247
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    17 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    38.000013g
    -
    19A Tc
    150°C TJ
    Tube
    -
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    Tin (Sn)
    -
    -
    -
    未说明
    -
    未说明
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    22 ns
    N-Channel
    -
    275m Ω @ 9.5A, 10V
    5V @ 100μA
    1650pF @ 100V
    38nC @ 10V
    14ns
    -
    ±30V
    8 ns
    19A
    -
    30V
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    3
    SuperMESH5™
    EAR99
    not_compliant
    STW23N
    1
    Single
    850V
  • 添加型号
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