Microsemi Corporation APT8M100B

生命周期状态

IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)

工厂交货时间

23 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

质量

38.000013g

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

8A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

290W Tc

Turn Off Delay Time

29 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

1997

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

锡银铜

附加功能

FAST SWITCHING, AVALANCHE RATED

电压 - 额定直流

1kV

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

8A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

290W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

8.5 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.8 Ω @ 4A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1885pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

60nC @ 10V

上升时间

7.8ns

漏源电压 (Vdss)

1000V

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

7.2 ns

连续放电电流(ID)

8A

JEDEC-95代码

TO-247AB

栅极至源极电压(Vgs)

30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

7.3A

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

27A

高度

5.31mm

长度

21.46mm

宽度

16.26mm

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅