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首页 全部分类 APTC60TAM21SCTPAG vs BUT30V

APTC60TAM21SCTPAG备选型号: BUT30V

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  • 功率 - 最大
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 漏源电压 (Vdss)
  • 连续放电电流(ID)
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 额定电流
  • 基本部件号
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • VCEsat-最大值
  • 关断时间-最大值（toff)
  • 最大下降时间 (tf)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Microsemi Corporation
    APTC60TAM21SCTPAG
    Microsemi Corporation
    MOSFET 6N-CH 600V 116A SP6-P
    IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)
    36 Weeks
    底座安装
    底座安装
    Module
    3
    -40°C~150°C TJ
    Bulk
    CoolMOS™
    1997
    活跃
    1 (Unlimited)
    625W
    625W
    6 N-Channel (3-Phase Bridge)
    21m Ω @ 88A, 10V
    3.6V @ 6mA
    13000pF @ 100V
    580nC @ 10V
    600V
    116A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    BUT30V
    STMicroelectronics
    TRANS NPN 125V 100A ISOTOP
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    8 Weeks
    Chassis Mount, Panel, Screw
    底座安装
    SOT-227-4, miniBLOC
    200V
    150°C TJ
    Tube
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Nickel
    4
    SILICON
    700mV
    3
    EAR99
    125V
    UPPER
    UNSPECIFIED
    100A
    BUT30
    R-XUFM-X3
    Single
    250W
    ISOLATED
    SWITCHING
    NPN
    NPN
    125V
    100A
    27 @ 100A 5V
    900mV @ 10A, 100A
    200V
    7V
    0.9 V
    2200ns
    200ns
    9.1mm
    38.2mm
    25.5mm
    无SVHC
    无
  • 添加型号
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