STMicroelectronics BUT30V
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BUT30V
2381-BUT30V
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
SOT-227-4, miniBLOC
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TRANS NPN 125V 100A ISOTOP
--最小包装量--
BUT30V详情
STMicroelectronics BUT30V重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
工厂交货时间
8 Weeks
触点镀层
Nickel
底架
Chassis Mount, Panel, Screw
安装类型
底座安装
包装/外壳
SOT-227-4, miniBLOC
引脚数
4
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
200V
Collector-Emitter Saturation Voltage
700mV
Number of Elements
1
hFEMin
27
操作温度
150°C TJ
包装
Tube
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
电压 - 额定直流
125V
最大功率耗散
250W
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
额定电流
100A
基本部件号
BUT30
引脚数量
3
JESD-30代码
R-XUFM-X3
元素配置
Single
功率耗散
250W
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
125V
最大集电极电流
100A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
27 @ 100A 5V
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
900mV @ 10A, 100A
集电极基极电压(VCBO)
200V
发射极基极电压 (VEBO)
7V
VCEsat-最大值
0.9 V
关断时间-最大值(toff)
2200ns
最大下降时间 (tf)
200ns
高度
9.1mm
长度
38.2mm
宽度
25.5mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
BUT30V拓展信息















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