APTC60TAM21SCTPAG备选型号: FMG2G75US120

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  • 工厂交货时间
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  • 安装类型
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  • 操作温度
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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 最大功率耗散
  • 功率 - 最大
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 连续放电电流(ID)
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 无铅
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 配置
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 输入
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最大集极截止电流
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
  • NTC热敏电阻
  • Microsemi Corporation
    MOSFET 6N-CH 600V 116A SP6-P
    IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)
    36 Weeks
    底座安装
    底座安装
    Module
    3
    -40°C~150°C TJ
    Bulk
    CoolMOS™
    1997
    活跃
    1 (Unlimited)
    625W
    625W
    6 N-Channel (3-Phase Bridge)
    21m Ω @ 88A, 10V
    3.6V @ 6mA
    13000pF @ 100V
    580nC @ 10V
    600V
    116A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    IGBT MODULE 1200V 75A 445W 7PMGA
    -
    -
    底座安装
    底座安装
    7PM-GA
    1.2kV
    -40°C~150°C TJ
    Bulk
    -
    2004
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    445W
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    3V
    1.2kV
    75A
    半桥
    Dual
    445W
    Standard
    1.2kV
    75A
    3mA
    1200V
    3V @ 15V, 75A
    无
  • 添加型号
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