APTC60TAM21SCTPAG备选型号: FMG2G75US120
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- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- 连续放电电流(ID)
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- RoHS状态
- 无铅
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
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- 元素配置
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- 输入
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- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- NTC热敏电阻
- MOSFET 6N-CH 600V 116A SP6-PIN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)36 Weeks底座安装底座安装Module3-40°C~150°C TJBulkCoolMOS™1997活跃1 (Unlimited)625W625W6 N-Channel (3-Phase Bridge)21m Ω @ 88A, 10V3.6V @ 6mA13000pF @ 100V580nC @ 10V600V116AMETAL-OXIDE SEMICONDUCTORStandard符合RoHS标准无铅-------------
- IGBT MODULE 1200V 75A 445W 7PMGA--底座安装底座安装7PM-GA1.2kV-40°C~150°C TJBulk-2004Obsolete1 (Unlimited)445W----------符合RoHS标准无铅3V1.2kV75A半桥Dual445WStandard1.2kV75A3mA1200V3V @ 15V, 75A无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FMS6G10US60 | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 模块 | 25PM-AA | IGBT MODULE 600V 10A 66W 25PMAA | 对比 | |
![]() | BUT30V | STMicroelectronics | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | SOT-227-4, miniBLOC | TRANS NPN 125V 100A ISOTOP | 对比 |
| FMG2G300US60E | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 模块 | 7PM-HA | Trans IGBT Module N-CH 600V 300A 7-Pin PM-HA | 对比 |



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