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首页 全部分类 APTC60TAM24TPG vs FP75R12KE3BOSA1

APTC60TAM24TPG备选型号: FP75R12KE3BOSA1

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  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 连续放电电流(ID)
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 触点镀层
  • 晶体管元件材料
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 极性
  • 配置
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 正向电流
  • 输入
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最大集极截止电流
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • NTC热敏电阻
  • 输入电容(Cies)@Vce
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • Microsemi Corporation
    APTC60TAM24TPG
    Microsemi Corporation
    MOSFET 6N-CH 600V 95A SP6-P
    36 Weeks
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    SP6
    23
    3
    -40°C~150°C TJ
    Tray
    CoolMOS™
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    462W
    462W
    6 N-Channel (3-Phase Bridge)
    24m Ω @ 47.5A, 10V
    3.9V @ 5mA
    14400pF @ 25V
    300nC @ 10V
    600V
    95A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    超级交界处
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    FP75R12KE3BOSA1
    Infineon Technologies
    IGBT MOD 1200V 105A 355W
    12 Weeks
    Screw
    底座安装
    Module
    24
    1.2kV
    -40°C~125°C TJ
    -
    -
    2002
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    350W
    355W
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    Tin
    SILICON
    2.15V
    no
    35
    UPPER
    UNSPECIFIED
    35
    R-XUFM-X35
    NPN
    Single
    350W
    ISOLATED
    75A
    Standard
    1.2kV
    105A
    5mA
    1200V
    330 ns
    2.2V @ 15V, 75A
    610 ns
    NPT
    无
    5.3nF @ 25V
    17mm
    122mm
    62mm
    无SVHC
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