Infineon Technologies FF150R12RT4HOSA1
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FF150R12RT4HOSA1
1211-FF150R12RT4HOSA1
晶体管 - IGBT - 模块
Module
大陆
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IGBT MOD 1200V 150A 790W
--最小包装量--
FF150R12RT4HOSA1详情
Infineon Technologies FF150R12RT4HOSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
16 Weeks
底架
Screw
安装类型
表面贴装
包装/外壳
Module
引脚数
7
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.75V
Current-Collector (Ic) (Max)
150A
Number of Elements
2
操作温度
-40°C~150°C TJ
系列
C
已出版
2002
无铅代码
no
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
端子位置
UPPER
引脚数量
7
JESD-30代码
R-XUFM-X5
配置
半桥
元素配置
Dual
功率耗散
790W
箱体转运
ISOLATED
输入
Standard
集电极发射器电压(VCEO)
1.2kV
最大集极截止电流
1mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200V
接通时间
185 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.15V @ 15V, 150A
关断时间-标准值(toff)
490 ns
IGBT类型
沟渠现场停车
NTC热敏电阻
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
FF150R12RT4HOSA1拓展信息
Infineon Technologies
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