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首页 全部分类 APTGF50DH60T1G vs APTGT50X60T3G

APTGF50DH60T1G备选型号: APTGT50X60T3G

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  • 资历状况
  • 配置
  • 元素配置
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
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  • 最大集电极电流
  • 最大集极截止电流
  • 输入电容
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  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • NTC热敏电阻
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 输入电容(Cies)@Vce
  • VCEsat-最大值
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 接通延迟时间
  • 功率 - 最大
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Microsemi Corporation
    APTGF50DH60T1G
    Microsemi Corporation
    IGBT MODULE 600V 65A 250W SP1
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    SP1
    12
    600V
    2.1V
    2012
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    9
    150°C
    -40°C
    250W
    UPPER
    UNSPECIFIED
    未说明
    未说明
    12
    R-XUFM-X9
    不合格
    不对称桥
    Dual
    ISOLATED
    电源控制
    N-CHANNEL
    Standard
    600V
    65A
    250μA
    2.2nF
    52 ns
    2.45V @ 15V, 50A
    151 ns
    NPT
    有
    20V
    2.2nF @ 25V
    2.45 V
    11.5mm
    51.6mm
    40.8mm
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    APTGT50X60T3G
    Microsemi Corporation
    IGBT MODULE 600V 80A 176W SP3
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    SP3
    32
    600V
    1.5V
    2007
    活跃
    1 (Unlimited)
    25
    -
    -
    176W
    UPPER
    UNSPECIFIED
    -
    -
    25
    R-XUFM-X25
    -
    三相逆变器
    -
    ISOLATED
    MOTOR CONTROL
    N-CHANNEL
    Standard
    600V
    80A
    250μA
    3.15nF
    170 ns
    1.9V @ 15V, 50A
    310 ns
    沟渠现场停车
    有
    20V
    3.15nF @ 25V
    1.9 V
    11.5mm
    73.4mm
    40.8mm
    符合RoHS标准
    IN PRODUCTION (Last Updated: 3 weeks ago)
    36 Weeks
    SILICON
    -40°C~175°C TJ
    e1
    yes
    EAR99
    锡银铜
    110 ns
    176W
    无
    无铅
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