Microsemi Corporation APTGF50DH60T1G
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APTGF50DH60T1G
1619-APTGF50DH60T1G
晶体管 - IGBT - 模块
SP1
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IGBT MODULE 600V 65A 250W SP1
1最小包装量--
APTGF50DH60T1G详情
Microsemi Corporation APTGF50DH60T1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
Chassis Mount, Screw
安装类型
底座安装
包装/外壳
SP1
引脚数
12
Collector-Emitter Breakdown Voltage
600V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.1V
Number of Elements
2
已出版
2012
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
9
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-40°C
最大功率耗散
250W
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
12
JESD-30代码
R-XUFM-X9
资历状况
不合格
配置
不对称桥
元素配置
Dual
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
电源控制
极性/通道类型
N-CHANNEL
输入
Standard
集电极发射器电压(VCEO)
600V
最大集电极电流
65A
最大集极截止电流
250μA
输入电容
2.2nF
接通时间
52 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.45V @ 15V, 50A
关断时间-标准值(toff)
151 ns
IGBT类型
NPT
NTC热敏电阻
有
栅极-发射极电压-最大值
20V
输入电容(Cies)@Vce
2.2nF @ 25V
VCEsat-最大值
2.45 V
高度
11.5mm
长度
51.6mm
宽度
40.8mm
RoHS状态
符合RoHS标准
APTGF50DH60T1G拓展信息
Microsemi Corporation
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