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首页 全部分类 APTGF90H60T3G vs STGE50NC60WD

APTGF90H60T3G备选型号: STGE50NC60WD

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  • 接通时间
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  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • NTC热敏电阻
  • 输入电容(Cies)@Vce
  • VCEsat-最大值
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 系列
  • 基本部件号
  • 功率耗散
  • 上升时间
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 达到SVHC
  • Microsemi Corporation
    APTGF90H60T3G
    Microsemi Corporation
    IGBT MODULE 600V 120A 416W SP3
    20 Weeks
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    SP3
    20
    600V
    2.1V
    2012
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    15
    EAR99
    150°C
    -40°C
    416W
    UPPER
    UNSPECIFIED
    未说明
    未说明
    25
    R-XUFM-X15
    不合格
    全桥逆变器
    ISOLATED
    电源控制
    N-CHANNEL
    Standard
    600V
    120A
    250μA
    4.4nF
    52 ns
    2.45V @ 15V, 100A
    152 ns
    NPT
    有
    4.4nF @ 25V
    2.45 V
    11.5mm
    73.4mm
    40.8mm
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STGE50NC60WD
    STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS STGE50NC60WD IGBT Single Transistor, 100 A, 2.5 V, 260 W, 600 V, ISOTOP, 4 Pins
    -
    Chassis Mount, Panel, Screw
    底座安装
    SOT-227-4, miniBLOC
    4
    1
    2.5V
    -
    Obsolete
    不适用
    4
    EAR99
    -
    -
    260W
    UPPER
    UNSPECIFIED
    -
    -
    4
    -
    -
    Single
    ISOLATED
    电源控制
    N-CHANNEL
    Standard
    600V
    100A
    500μA
    4.7nF
    69 ns
    2.6V @ 15V, 40A
    343 ns
    -
    无
    4.7nF @ 25V
    2.6 V
    12.2mm
    38.2mm
    25.5mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    SILICON
    -55°C~150°C TJ
    PowerMESH™
    STGE50
    260W
    17ns
    20V
    无SVHC
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