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APTGL180A120T3AG备选型号: APTGT150DU120G
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- 引脚数量
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- 元素配置
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- 功率 - 最大
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- 极性/通道类型
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- 最大集电极电流
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- 电压 - 集射极击穿（最大值）
- 输入电容
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
- 关断时间-标准值（toff)
- IGBT类型
- NTC热敏电阻
- 输入电容(Cies)@Vce
- VCEsat-最大值
- 辐射硬化
- RoHS状态
- JESD-609代码
- 无铅代码
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- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 附加功能
IGBT MODULE 1200V 230A 940W SP336 WeeksChassis Mount, Screw底座安装SP320SILICON1.2kV-40°C~175°C TJ2009活跃1 (Unlimited)20EAR99940WUPPERUNSPECIFIED25半桥DualISOLATED940W电源控制N-CHANNELStandard1.2kV230A300μA1200V9.3nF185 ns2.2V @ 15V, 150A430 ns沟渠现场停车有9.3nF @ 25V2.2 V无符合RoHS标准------
POWER MOD IGBT TRENCH DL SRC SP636 WeeksChassis Mount, Screw底座安装SP67-1.2kV-2006活跃1 (Unlimited)7EAR99690WUPPERUNSPECIFIED7Dual, Common SourceDualISOLATED-电源控制N-CHANNELStandard1.2kV220A350μA1200V10.7nF335 ns2.1V @ 15V, 150A610 ns沟渠现场停车无10.7nF @ 25V--符合RoHS标准e1yes锡银铜150°C-40°C雪崩 额定- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | APTGT200A120G | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 模块 | SP6 | POWER MODULE IGBT 1200V 200A SP6 | 对比 |
 | FF200R12KS4HOSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 模块 | Module | IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 275 A, 3.2 V, 1.4 kW, 1.2 kV, Module | 对比 |
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