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首页 全部分类 APTGL180A120T3AG vs APTGT200A120G

APTGL180A120T3AG备选型号: APTGT200A120G

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  • 晶体管元件材料
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  • 终端形式
  • 引脚数量
  • 配置
  • 元素配置
  • 箱体转运
  • 功率 - 最大
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 输入
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最大集极截止电流
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 输入电容
  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • NTC热敏电阻
  • 输入电容(Cies)@Vce
  • VCEsat-最大值
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • Microsemi Corporation
    APTGL180A120T3AG
    Microsemi Corporation
    IGBT MODULE 1200V 230A 940W SP3
    36 Weeks
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    SP3
    20
    SILICON
    1.2kV
    -40°C~175°C TJ
    2009
    活跃
    1 (Unlimited)
    20
    EAR99
    940W
    UPPER
    UNSPECIFIED
    25
    半桥
    Dual
    ISOLATED
    940W
    电源控制
    N-CHANNEL
    Standard
    1.2kV
    230A
    300μA
    1200V
    9.3nF
    185 ns
    2.2V @ 15V, 150A
    430 ns
    沟渠现场停车
    有
    9.3nF @ 25V
    2.2 V
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    APTGT200A120G
    Microsemi Corporation
    POWER MODULE IGBT 1200V 200A SP6
    36 Weeks
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    SP6
    7
    SILICON
    1.2kV
    -40°C~150°C TJ
    2006
    活跃
    1 (Unlimited)
    7
    EAR99
    890W
    UPPER
    UNSPECIFIED
    7
    半桥
    Dual
    ISOLATED
    890W
    电源控制
    N-CHANNEL
    Standard
    1.2kV
    280A
    350μA
    1200V
    14nF
    340 ns
    2.1V @ 15V, 200A
    610 ns
    沟渠现场停车
    无
    14nF @ 25V
    -
    -
    符合RoHS标准
    e1
    yes
    锡银铜
    雪崩 额定
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