您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 APTGL180A120T3AG vs FF200R12KS4HOSA1

APTGL180A120T3AG备选型号: FF200R12KS4HOSA1

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 最大功率耗散
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 引脚数量
  • 配置
  • 元素配置
  • 箱体转运
  • 功率 - 最大
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 输入
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最大集极截止电流
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 输入电容
  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • NTC热敏电阻
  • 输入电容(Cies)@Vce
  • VCEsat-最大值
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 无铅代码
  • 附加功能
  • 功率耗散
  • Microsemi Corporation
    APTGL180A120T3AG
    Microsemi Corporation
    IGBT MODULE 1200V 230A 940W SP3
    36 Weeks
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    SP3
    20
    SILICON
    1.2kV
    -40°C~175°C TJ
    2009
    活跃
    1 (Unlimited)
    20
    EAR99
    940W
    UPPER
    UNSPECIFIED
    25
    半桥
    Dual
    ISOLATED
    940W
    电源控制
    N-CHANNEL
    Standard
    1.2kV
    230A
    300μA
    1200V
    9.3nF
    185 ns
    2.2V @ 15V, 150A
    430 ns
    沟渠现场停车
    有
    9.3nF @ 25V
    2.2 V
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    FF200R12KS4HOSA1
    Infineon Technologies
    IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 275 A, 3.2 V, 1.4 kW, 1.2 kV, Module
    20 Weeks
    Screw
    底座安装
    Module
    7
    SILICON
    1.2kV
    -40°C~125°C
    2002
    活跃
    1 (Unlimited)
    7
    EAR99
    -
    UPPER
    UNSPECIFIED
    7
    2 Independent
    Dual
    ISOLATED
    1400W
    -
    N-CHANNEL
    Standard
    1.2kV
    275A
    5mA
    1200V
    -
    180 ns
    3.7V @ 15V, 200A
    590 ns
    -
    无
    13nF @ 25V
    -
    -
    符合RoHS标准
    3.2V
    yes
    FAST
    1.4kW
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
APTGT200A120G APTGT200A120G Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 SP6 POWER MODULE IGBT 1200V 200A SP6 对比
FF200R12KS4HOSA1 FF200R12KS4HOSA1 Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 模块 Module IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 275 A, 3.2 V, 1.4 kW, 1.2 kV, Module 对比