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首页 全部分类 APTGL325A120D3G vs APTGT600U170D4G

APTGL325A120D3G备选型号: APTGT600U170D4G

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  • 工厂交货时间
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  • 引脚数量
  • 配置
  • 元素配置
  • 箱体转运
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  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 输入
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最大集极截止电流
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 输入电容
  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • NTC热敏电阻
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 输入电容(Cies)@Vce
  • VCEsat-最大值
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • Microsemi Corporation
    APTGL325A120D3G
    Microsemi Corporation
    IGBT MODULE 1200V 420A 1500W D3
    36 Weeks
    Chassis Mount, Screw
    D-3 Module
    底座安装
    7
    SILICON
    1.2kV
    2012
    -40°C~175°C TJ
    活跃
    1 (Unlimited)
    7
    EAR99
    1.5kW
    UPPER
    UNSPECIFIED
    11
    半桥
    Dual
    ISOLATED
    1500W
    MOTOR CONTROL
    N-CHANNEL
    Standard
    1.2kV
    420A
    5mA
    1200V
    18.6nF
    270 ns
    2.2V @ 15V, 300A
    530 ns
    沟渠现场停车
    无
    20V
    18.6nF @ 25V
    2.2 V
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    APTGT600U170D4G
    Microsemi Corporation
    IGBT MODULE 1700V 1100A 2900W D4
    36 Weeks
    Chassis Mount, Screw
    D4
    底座安装
    4
    SILICON
    1.7kV
    2012
    -40°C~150°C TJ
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    2.9kW
    UPPER
    UNSPECIFIED
    4
    Single
    -
    ISOLATED
    2900W
    电源控制
    N-CHANNEL
    Standard
    2.4V
    1.1kA
    1mA
    1700V
    51nF
    430 ns
    2.4V @ 15V, 600A
    1230 ns
    沟渠现场停车
    无
    20V
    51nF @ 25V
    -
    符合RoHS标准
    IN PRODUCTION (Last Updated: 3 weeks ago)
    e1
    yes
    锡银铜
    雪崩 额定
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