Microsemi Corporation APTGT600U120D4G
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APTGT600U120D4G
1619-APTGT600U120D4G
晶体管 - IGBT - 模块
D4
大陆
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IGBT MODULE 1200V 900A 2500W D4
1最小包装量--
APTGT600U120D4G详情
Microsemi Corporation APTGT600U120D4G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
IN PRODUCTION (Last Updated: 3 weeks ago)
工厂交货时间
36 Weeks
底架
Chassis Mount, Screw
安装类型
底座安装
包装/外壳
D4
引脚数
4
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
1.2kV
Number of Elements
1
操作温度
-40°C~150°C TJ
已出版
2011
JESD-609代码
e1
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡银铜
最大功率耗散
2.5kW
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
引脚数量
4
配置
Single
箱体转运
ISOLATED
功率 - 最大
2500W
晶体管应用
MOTOR CONTROL
极性/通道类型
N-CHANNEL
输入
Standard
集电极发射器电压(VCEO)
1.2kV
最大集电极电流
900A
最大集极截止电流
5mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200V
输入电容
40nF
接通时间
400 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.1V @ 15V, 600A
关断时间-标准值(toff)
830 ns
IGBT类型
沟渠现场停车
NTC热敏电阻
无
输入电容(Cies)@Vce
40nF @ 25V
RoHS状态
符合RoHS标准
APTGT600U120D4G拓展信息
Microsemi Corporation
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