APTGL90DDA120T3G备选型号: APTGL60DDA120T3G

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  • 元素配置
  • 功率 - 最大
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  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
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  • 电压 - 集射极击穿(最大值)
  • 输入电容
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
  • IGBT类型
  • NTC热敏电阻
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 输入电容(Cies)@Vce
  • VCEsat-最大值
  • RoHS状态
  • Microsemi Corporation
    Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 110A 16-Pin Case SP-3
    36 Weeks
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    SP3
    16
    1.2kV
    -40°C~175°C TJ
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    385W
    未说明
    未说明
    双升压斩波器
    Dual
    385W
    Standard
    1.2kV
    110A
    250μA
    1200V
    4.4nF
    2.25V @ 15V, 75A
    沟渠现场停车
    20V
    4.4nF @ 25V
    2.25 V
    符合RoHS标准
  • Microsemi Corporation
    IGBT MODULE 1200V 80A 280W SP3
    36 Weeks
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    SP3
    16
    1.2kV
    -40°C~175°C TJ
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    280W
    未说明
    未说明
    双升压斩波器
    Dual
    280W
    Standard
    1.2kV
    80A
    250μA
    1200V
    2.77nF
    2.25V @ 15V, 50A
    沟渠现场停车
    20V
    2.77nF @ 25V
    2.25 V
    符合RoHS标准
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图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
APTGL60DDA120T3G APTGL60DDA120T3G Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 SP3 IGBT MODULE 1200V 80A 280W SP3 对比