Microsemi Corporation APTGL90DDA120T3G
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APTGL90DDA120T3G
1619-APTGL90DDA120T3G
晶体管 - IGBT - 模块
SP3
大陆
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Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 110A 16-Pin Case SP-3
1最小包装量--
APTGL90DDA120T3G详情
Microsemi Corporation APTGL90DDA120T3G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
36 Weeks
底架
Chassis Mount, Screw
安装类型
底座安装
包装/外壳
SP3
引脚数
16
Collector-Emitter Breakdown Voltage
1.2kV
Number of Elements
1
操作温度
-40°C~175°C TJ
已出版
2012
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
385W
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
配置
双升压斩波器
元素配置
Dual
功率 - 最大
385W
输入
Standard
集电极发射器电压(VCEO)
1.2kV
最大集电极电流
110A
最大集极截止电流
250μA
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200V
输入电容
4.4nF
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.25V @ 15V, 75A
IGBT类型
沟渠现场停车
NTC热敏电阻
有
栅极-发射极电压-最大值
20V
输入电容(Cies)@Vce
4.4nF @ 25V
VCEsat-最大值
2.25 V
RoHS状态
符合RoHS标准
APTGL90DDA120T3G拓展信息
Microsemi Corporation
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