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首页 全部分类 APTGT100DA60T1G vs FS50R06W1E3BOMA1

APTGT100DA60T1G备选型号: FS50R06W1E3BOMA1

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  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 配置
  • 箱体转运
  • 功率 - 最大
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 输入
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最大集极截止电流
  • 输入电容
  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • NTC热敏电阻
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 输入电容(Cies)@Vce
  • VCEsat-最大值
  • RoHS状态
  • 触点镀层
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 系列
  • JESD-30代码
  • 无卤素
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • Microsemi Corporation
    APTGT100DA60T1G
    Microsemi Corporation
    IGBT MODULE 600V 150A 340W SP1
    36 Weeks
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    SP1
    12
    SILICON
    600V
    -40°C~175°C TJ
    2007
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    12
    EAR99
    锡银铜
    340W
    UPPER
    THROUGH-HOLE
    未说明
    未说明
    12
    不合格
    Single
    ISOLATED
    340W
    MOTOR CONTROL
    N-CHANNEL
    Standard
    600V
    150A
    250μA
    6.1nF
    180 ns
    1.9V @ 15V, 100A
    370 ns
    沟渠现场停车
    有
    20V
    6.1nF @ 25V
    1.9 V
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    FS50R06W1E3BOMA1
    Infineon Technologies
    IGBT MODULE 600V 70A 205W
    16 Weeks
    Screw
    底座安装
    Module
    18
    SILICON
    600V
    -40°C~150°C
    2002
    -
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    15
    EAR99
    -
    205W
    UPPER
    UNSPECIFIED
    未说明
    未说明
    22
    不合格
    三相逆变器
    ISOLATED
    205W
    电源控制
    N-CHANNEL
    Standard
    600V
    70A
    1mA
    -
    250 ns
    1.9V @ 15V, 50A
    370 ns
    沟渠现场停车
    有
    -
    95pF @ 25V
    -
    ROHS3 Compliant
    Tin
    1.45V
    EasyPACK™ 1B
    R-XUFM-X15
    不含卤素
    12mm
    62.8mm
    33.8mm
    无SVHC
    含铅
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