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首页 全部分类 APTGT150A60T3AG vs STGE200NB60S

APTGT150A60T3AG备选型号: STGE200NB60S

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  • NTC热敏电阻
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  • VCEsat-最大值
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
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  • 系列
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 基本部件号
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • Microsemi Corporation
    APTGT150A60T3AG
    Microsemi Corporation
    Trans IGBT Module N-CH 600V 225A 20-Pin Case SP-3
    36 Weeks
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    SP3
    20
    SILICON
    600V
    -40°C~175°C TJ
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    10
    EAR99
    600W
    UPPER
    UNSPECIFIED
    未说明
    未说明
    25
    R-XUFM-X10
    不合格
    半桥
    Dual
    ISOLATED
    600W
    电源控制
    N-CHANNEL
    Standard
    600V
    225A
    250μA
    9.2nF
    180 ns
    1.9V @ 15V, 150A
    370 ns
    沟渠现场停车
    有
    9.2nF @ 25V
    1.9 V
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STGE200NB60S
    STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS STGE200NB60S IGBT Single Transistor, 200 A, 1.2 V, 600 W, 600 V, ISOTOP, 4 Pins
    8 Weeks
    Chassis Mount, Panel, Screw
    底座安装
    SOT-227-4, miniBLOC
    4
    SILICON
    600V
    -55°C~150°C TJ
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    600W
    UPPER
    UNSPECIFIED
    -
    -
    4
    -
    -
    Single
    -
    ISOLATED
    -
    电源控制
    N-CHANNEL
    Standard
    600V
    200A
    500μA
    1.56nF
    170 ns
    1.6V @ 15V, 100A
    4600 ns
    -
    无
    1.56nF @ 25V
    1.6 V
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    28.349523g
    1.2V
    PowerMESH™
    Nickel (Ni)
    600V
    150A
    STGE200
    600W
    64 ns
    112ns
    600V
    200A
    20V
    9.1mm
    38.2mm
    25.5mm
    无SVHC
    无铅
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