STMicroelectronics STGE200NB60S
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STGE200NB60S
2381-STGE200NB60S
晶体管 - IGBT - 模块
SOT-227-4, miniBLOC
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STMICROELECTRONICS STGE200NB60S IGBT Single Transistor, 200 A, 1.2 V, 600 W, 600 V, ISOTOP, 4 Pins
--最小包装量--
STGE200NB60S详情
STMicroelectronics STGE200NB60S重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
工厂交货时间
8 Weeks
底架
Chassis Mount, Panel, Screw
安装类型
底座安装
包装/外壳
SOT-227-4, miniBLOC
引脚数
4
质量
28.349523g
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
600V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.2V
Number of Elements
1
Turn Off Delay Time
2.4 μs
操作温度
-55°C~150°C TJ
系列
PowerMESH™
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Nickel (Ni)
电压 - 额定直流
600V
最大功率耗散
600W
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
额定电流
150A
基本部件号
STGE200
引脚数量
4
配置
Single
功率耗散
600W
箱体转运
ISOLATED
接通延迟时间
64 ns
晶体管应用
电源控制
上升时间
112ns
漏源电压 (Vdss)
600V
极性/通道类型
N-CHANNEL
输入
Standard
集电极发射器电压(VCEO)
600V
最大集电极电流
200A
连续放电电流(ID)
200A
最大集极截止电流
500μA
输入电容
1.56nF
接通时间
170 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
1.6V @ 15V, 100A
关断时间-标准值(toff)
4600 ns
NTC热敏电阻
无
栅极-发射极电压-最大值
20V
输入电容(Cies)@Vce
1.56nF @ 25V
VCEsat-最大值
1.6 V
高度
9.1mm
长度
38.2mm
宽度
25.5mm
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
STGE200NB60S拓展信息
STMicroelectronics
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