您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 APTGT300DA120G vs FZ300R12KE3GHOSA1

APTGT300DA120G备选型号: FZ300R12KE3GHOSA1

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 最大功率耗散
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 引脚数量
  • 配置
  • 箱体转运
  • 功率 - 最大
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 输入
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最大集极截止电流
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 输入电容
  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • NTC热敏电阻
  • 输入电容(Cies)@Vce
  • RoHS状态
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 功率耗散
  • 无卤素
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 无铅
  • Microsemi Corporation
    APTGT300DA120G
    Microsemi Corporation
    IGBT MODULE 1200V 420A 1380W SP6
    36 Weeks
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    SP6
    5
    SILICON
    1.2kV
    -40°C~150°C TJ
    2006
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    锡银铜
    雪崩 额定
    1.38kW
    UPPER
    UNSPECIFIED
    5
    Single
    ISOLATED
    1380W
    电源控制
    N-CHANNEL
    Standard
    1.2kV
    420A
    500μA
    1200V
    21nF
    340 ns
    2.1V @ 15V, 300A
    610 ns
    沟渠现场停车
    无
    21nF @ 25V
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    FZ300R12KE3GHOSA1
    Infineon Technologies
    IGBT MOD 1200V 480A 1450W
    14 Weeks
    Panel, Screw
    底座安装
    Module
    5
    SILICON
    1.2kV
    -40°C~125°C
    2002
    -
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    -
    -
    1.45kW
    UPPER
    UNSPECIFIED
    5
    Single
    ISOLATED
    1450W
    -
    N-CHANNEL
    Standard
    1.2kV
    480A
    5mA
    1200V
    -
    400 ns
    2.15V @ 15V, 300A
    830 ns
    沟渠现场停车
    无
    21nF @ 25V
    ROHS3 Compliant
    1.7V
    1.45kW
    不含卤素
    36.5mm
    106.4mm
    61.4mm
    无铅
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
FF300R12KE3HOSA1 FF300R12KE3HOSA1 Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 模块 Module IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 440 A, 1.7 V, 1.45 kW, 1.2 kV, Module 对比
FZ300R12KE3GHOSA1 FZ300R12KE3GHOSA1 Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 模块 Module IGBT MOD 1200V 480A 1450W 对比