Infineon Technologies FF300R12KE3HOSA1
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FF300R12KE3HOSA1
1211-FF300R12KE3HOSA1
晶体管 - IGBT - 模块
Module
大陆
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IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 440 A, 1.7 V, 1.45 kW, 1.2 kV, Module
1最小包装量--
FF300R12KE3HOSA1详情
Infineon Technologies FF300R12KE3HOSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
14 Weeks
触点镀层
Tin
底架
Screw
安装类型
底座安装
包装/外壳
Module
引脚数
7
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
1.2kV
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.7V
Current-Collector (Ic) (Max)
440A
Number of Elements
2
操作温度
-40°C~125°C
已出版
2002
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
不适用
终止次数
7
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
1.45kW
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
引脚数量
7
配置
2 Independent
元素配置
Dual
功率耗散
1.45kW
箱体转运
ISOLATED
功率 - 最大
1450W
晶体管应用
电源控制
极性/通道类型
N-CHANNEL
输入
Standard
集电极发射器电压(VCEO)
1.2kV
最大集电极电流
480A
最大集极截止电流
5mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200V
接通时间
400 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.15V @ 15V, 300A
关断时间-标准值(toff)
830 ns
IGBT类型
沟渠现场停车
NTC热敏电阻
无
输入电容(Cies)@Vce
21nF @ 25V
高度
30.9mm
长度
106.4mm
宽度
61.4mm
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
符合RoHS标准
FF300R12KE3HOSA1拓展信息
Infineon Technologies
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