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首页 全部分类 APTGT400DU120G vs APTGT35X120T3G

APTGT400DU120G备选型号: APTGT35X120T3G

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  • 元素配置
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  • 最大集电极电流
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  • 输入电容
  • 接通时间
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  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • NTC热敏电阻
  • 输入电容(Cies)@Vce
  • RoHS状态
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-30代码
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • VCEsat-最大值
  • 辐射硬化
  • Microsemi Corporation
    APTGT400DU120G
    Microsemi Corporation
    IGBT MODULE 1200V 560A 1785W SP6
    36 Weeks
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    SP6
    7
    SILICON
    1.2kV
    -40°C~150°C TJ
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    7
    EAR99
    锡银铜
    雪崩 额定
    1.785kW
    UPPER
    UNSPECIFIED
    7
    Dual, Common Source
    Dual
    ISOLATED
    1785W
    电源控制
    N-CHANNEL
    Standard
    1.2kV
    560A
    750μA
    1200V
    28nF
    340 ns
    2.1V @ 15V, 400A
    610 ns
    沟渠现场停车
    无
    28nF @ 25V
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    APTGT35X120T3G
    Microsemi Corporation
    Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 55A 32-Pin Case SP-3
    36 Weeks
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    SP3
    32
    SILICON
    1.2kV
    -40°C~150°C TJ
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    25
    EAR99
    锡银铜
    -
    208W
    UPPER
    UNSPECIFIED
    25
    三相逆变器
    -
    ISOLATED
    208W
    MOTOR CONTROL
    N-CHANNEL
    Standard
    1.2kV
    55A
    250μA
    1200V
    2.5nF
    140 ns
    2.1V @ 15V, 35A
    610 ns
    沟渠现场停车
    有
    2.5nF @ 25V
    符合RoHS标准
    Bulk
    2012
    R-XUFM-X25
    20V
    2.1 V
    无
  • 添加型号
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