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首页 全部分类 APTGT50H60RT3G vs FS50R06W1E3BOMA1

APTGT50H60RT3G备选型号: FS50R06W1E3BOMA1

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  • 输入电容
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  • IGBT类型
  • NTC热敏电阻
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 输入电容(Cies)@Vce
  • VCEsat-最大值
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 触点镀层
  • 晶体管元件材料
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 操作温度
  • 系列
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 箱体转运
  • 功率 - 最大
  • 晶体管应用
  • 无卤素
  • 极性/通道类型
  • 接通时间
  • 关断时间-标准值（toff)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • Microsemi Corporation
    APTGT50H60RT3G
    Microsemi Corporation
    POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3
    36 Weeks
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    SP3
    32
    600V
    1999
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    175°C
    -40°C
    176W
    全桥逆变器
    单相桥式整流器
    600V
    80A
    250μA
    3.15nF
    1.9V @ 15V, 50A
    沟渠现场停车
    有
    20V
    3.15nF @ 25V
    1.9 V
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    FS50R06W1E3BOMA1
    Infineon Technologies
    IGBT MODULE 600V 70A 205W
    16 Weeks
    Screw
    底座安装
    Module
    18
    600V
    2002
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    -
    205W
    三相逆变器
    Standard
    600V
    70A
    1mA
    -
    1.9V @ 15V, 50A
    沟渠现场停车
    有
    -
    95pF @ 25V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    Tin
    SILICON
    1.45V
    -40°C~150°C
    EasyPACK™ 1B
    no
    15
    UPPER
    UNSPECIFIED
    未说明
    未说明
    22
    R-XUFM-X15
    不合格
    ISOLATED
    205W
    电源控制
    不含卤素
    N-CHANNEL
    250 ns
    370 ns
    12mm
    62.8mm
    33.8mm
    无SVHC
    含铅
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