Microsemi Corporation APTGT50H60RT3G

工厂交货时间

36 Weeks

底架

Chassis Mount, Screw

安装类型

底座安装

包装/外壳

SP3

引脚数

32

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Number of Elements

1

已出版

1999

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

175°C

最小工作温度

-40°C

最大功率耗散

176W

配置

全桥逆变器

输入

单相桥式整流器

集电极发射器电压(VCEO)

600V

最大集电极电流

80A

最大集极截止电流

250μA

输入电容

3.15nF

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

1.9V @ 15V, 50A

IGBT类型

沟渠现场停车

NTC热敏电阻

有

栅极-发射极电压-最大值

20V

输入电容(Cies)@Vce

3.15nF @ 25V

VCEsat-最大值

1.9 V

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准