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首页 全部分类 APTGT75H60T2G vs APTGT75A60T1G

APTGT75H60T2G备选型号: APTGT75A60T1G

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  • IGBT类型
  • NTC热敏电阻
  • 输入电容(Cies)@Vce
  • RoHS状态
  • 晶体管元件材料
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 接通时间
  • 关断时间-标准值（toff)
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • VCEsat-最大值
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 无铅
  • Microsemi Corporation
    APTGT75H60T2G
    Microsemi Corporation
    POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP2
    OBSOLETE (Last Updated: 3 weeks ago)
    22 Weeks
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    SP2
    22
    SP2
    600V
    -40°C~175°C TJ
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    175°C
    -40°C
    250W
    全桥逆变器
    250W
    Standard
    600V
    100A
    250μA
    600V
    4.62nF
    1.9V @ 15V, 75A
    沟渠现场停车
    有
    4.62nF @ 25V
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    APTGT75A60T1G
    Microsemi Corporation
    IGBT MODULE 600V 100A 250W SP1
    IN PRODUCTION (Last Updated: 3 weeks ago)
    36 Weeks
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    SP1
    12
    -
    600V
    -40°C~175°C TJ
    2007
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    250W
    半桥
    250W
    Standard
    600V
    100A
    250μA
    -
    4.62nF
    1.9V @ 15V, 75A
    沟渠现场停车
    有
    4.62nF @ 25V
    符合RoHS标准
    SILICON
    1.5V
    e1
    yes
    12
    EAR99
    锡银铜
    UPPER
    THROUGH-HOLE
    未说明
    未说明
    12
    不合格
    Dual
    ISOLATED
    110 ns
    MOTOR CONTROL
    N-CHANNEL
    170 ns
    310 ns
    20V
    1.9 V
    11.5mm
    51.6mm
    40.8mm
    无铅
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