Microsemi Corporation APTGT75A60T1G

生命周期状态

IN PRODUCTION (Last Updated: 3 weeks ago)

工厂交货时间

36 Weeks

底架

Chassis Mount, Screw

安装类型

底座安装

包装/外壳

SP1

引脚数

12

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.5V

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

200 ns

操作温度

-40°C~175°C TJ

已出版

2007

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

12

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡银铜

最大功率耗散

250W

端子位置

UPPER

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

12

资历状况

不合格

配置

半桥

元素配置

Dual

箱体转运

ISOLATED

接通延迟时间

110 ns

功率 - 最大

250W

晶体管应用

MOTOR CONTROL

极性/通道类型

N-CHANNEL

输入

Standard

集电极发射器电压(VCEO)

600V

最大集电极电流

100A

最大集极截止电流

250μA

输入电容

4.62nF

接通时间

170 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

1.9V @ 15V, 75A

关断时间-标准值（toff)

310 ns

IGBT类型

沟渠现场停车

NTC热敏电阻

有

栅极-发射极电压-最大值

20V

输入电容(Cies)@Vce

4.62nF @ 25V

VCEsat-最大值

1.9 V

高度

11.5mm

长度

51.6mm

宽度

40.8mm

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅