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首页 全部分类 APTGT75TDU60PG vs APTGT75TL60T3G

APTGT75TDU60PG备选型号: APTGT75TL60T3G

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  • 底架
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  • 晶体管元件材料
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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 最大功率耗散
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 引脚数量
  • 配置
  • 箱体转运
  • 功率 - 最大
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 输入
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最大集极截止电流
  • 输入电容
  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • NTC热敏电阻
  • 输入电容(Cies)@Vce
  • RoHS状态
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • VCEsat-最大值
  • Microsemi Corporation
    APTGT75TDU60PG
    Microsemi Corporation
    Trans IGBT Module N-CH 600V 100A 21-Pin Case SP-6P
    IN PRODUCTION (Last Updated: 3 weeks ago)
    36 Weeks
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    SP6
    21
    SILICON
    600V
    -40°C~175°C TJ
    2006
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    21
    EAR99
    锡银铜
    雪崩 额定
    250W
    UPPER
    UNSPECIFIED
    21
    Triple, Dual - Common Source
    ISOLATED
    250W
    电源控制
    N-CHANNEL
    Standard
    600V
    100A
    250μA
    4.62nF
    170 ns
    1.9V @ 15V, 75A
    310 ns
    沟渠现场停车
    无
    4.62nF @ 25V
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    APTGT75TL60T3G
    Microsemi Corporation
    IGBT MODULE 600V 100A 250W SP3
    IN PRODUCTION (Last Updated: 3 weeks ago)
    36 Weeks
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    SP3
    32
    SILICON
    600V
    -40°C~175°C TJ
    2011
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    16
    EAR99
    -
    -
    250W
    UPPER
    UNSPECIFIED
    25
    三级逆变器
    ISOLATED
    250W
    电源控制
    N-CHANNEL
    Standard
    600V
    100A
    250μA
    4.62nF
    170 ns
    1.9V @ 15V, 75A
    310 ns
    沟渠现场停车
    有
    4.62nF @ 25V
    符合RoHS标准
    未说明
    未说明
    R-XUFM-X16
    不合格
    20V
    1.9 V
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