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首页 全部分类 APTGT75TDU60PG vs BSM75GB60DLCHOSA1

APTGT75TDU60PG备选型号: BSM75GB60DLCHOSA1

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  • 终止次数
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  • 端子表面处理
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  • 端子位置
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  • 引脚数量
  • 配置
  • 箱体转运
  • 功率 - 最大
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 输入
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最大集极截止电流
  • 输入电容
  • 接通时间
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  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • NTC热敏电阻
  • 输入电容(Cies)@Vce
  • RoHS状态
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 无卤素
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 无铅
  • Microsemi Corporation
    APTGT75TDU60PG
    Microsemi Corporation
    Trans IGBT Module N-CH 600V 100A 21-Pin Case SP-6P
    IN PRODUCTION (Last Updated: 3 weeks ago)
    36 Weeks
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    SP6
    21
    SILICON
    600V
    -40°C~175°C TJ
    2006
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    21
    EAR99
    锡银铜
    雪崩 额定
    250W
    UPPER
    UNSPECIFIED
    21
    Triple, Dual - Common Source
    ISOLATED
    250W
    电源控制
    N-CHANNEL
    Standard
    600V
    100A
    250μA
    4.62nF
    170 ns
    1.9V @ 15V, 75A
    310 ns
    沟渠现场停车
    无
    4.62nF @ 25V
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSM75GB60DLCHOSA1
    Infineon Technologies
    IGBT MOD 600V 100A 355W
    -
    14 Weeks
    Screw
    底座安装
    Module
    34
    SILICON
    600V
    -40°C~125°C
    2000
    -
    no
    最后一次购买
    1 (Unlimited)
    7
    EAR99
    -
    -
    355W
    UPPER
    UNSPECIFIED
    7
    Single
    ISOLATED
    -
    -
    N-CHANNEL
    Standard
    600V
    100A
    500μA
    -
    90 ns
    2.45V @ 15V, 75A
    205 ns
    -
    无
    3.3nF @ 25V
    符合RoHS标准
    2.2V
    R-XUFM-X7
    Dual
    355W
    不含卤素
    30.5mm
    94mm
    34mm
    无铅
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