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首页 全部分类 APTM100TA35SCTPG vs IRFBA1404PPBF

APTM100TA35SCTPG备选型号: IRFBA1404PPBF

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  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
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  • 终止次数
  • 电阻
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • Vgs（最大值）
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • Microsemi Corporation
    APTM100TA35SCTPG
    Microsemi Corporation
    MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6P
    22 Weeks
    Chassis Mount, Through Hole
    底座安装
    Module
    3
    -40°C~150°C TJ
    Bulk
    POWER MOS 7®
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    390W
    18 ns
    6 N-Channel (3-Phase Bridge)
    420m Ω @ 11A, 10V
    5V @ 2.5mA
    5200pF @ 25V
    186nC @ 10V
    12ns
    1000V 1kV
    40 ns
    22A
    30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFBA1404PPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 40V 206A SUPER-220
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-273AA
    206A Tc
    -40°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2004
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    17 ns
    N-Channel
    3.7m Ω @ 95A, 10V
    4V @ 250μA
    7360pF @ 25V
    200nC @ 10V
    140ns
    -
    26 ns
    206A
    20V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    3
    SILICON
    3
    3.7MOhm
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
    40V
    206A
    Single
    增强型MOSFET
    300W
    DRAIN
    SWITCHING
    ±20V
    95A
    40V
    650A
    480 mJ
    15mm
    10.9982mm
    5mm
    无
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