Microsemi Corporation APTM100TA35SCTPG

工厂交货时间

22 Weeks

底架

Chassis Mount, Through Hole

安装类型

底座安装

包装/外壳

Module

Number of Elements

3

Turn Off Delay Time

155 ns

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Bulk

系列

POWER MOS 7®

已出版

2013

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

390W

接通延迟时间

18 ns

场效应管类型

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

Rds On(Max)@Id,Vgs

420m Ω @ 11A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 2.5mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

5200pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

186nC @ 10V

上升时间

12ns

漏源电压 (Vdss)

1000V 1kV

下降时间（典型值）

40 ns

连续放电电流(ID)

22A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Standard

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅