APTMC60TLM14CAG备选型号: FSBB30CH60

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • ECCN 代码
  • 最大功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 质量
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • 类型
  • 端子表面处理
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 端子位置
  • 功能数量
  • 电源电压
  • 基本部件号
  • 输出的数量
  • 电压-隔离度
  • 输出电压
  • 工作电源电压
  • 配置
  • 最大电源电压
  • 最大额定电流
  • 电源电流
  • 功率耗散
  • 输出电流
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 漏源击穿电压
  • 最小击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Microsemi Corporation
    MOSFET 4N-CH 1200V 219A SP6C
    IN PRODUCTION (Last Updated: 3 weeks ago)
    36 Weeks
    Chassis Mount, Through Hole
    底座安装
    SP6
    6
    219A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Bulk
    2014
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    925W
    35 ns
    4 N-Channel (Three Level Inverter)
    12m Ω @ 150A, 20V
    2.4V @ 30mA (Typ)
    8400pF @ 1000V
    483nC @ 20V
    40ns
    1200V 1.2kV
    70 ns
    219A
    215A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Silicon Carbide (SiC)
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
  • ON Semiconductor
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FSBB30CH60 SMART POWER MODULE, 600V, 30A
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
    -
    通孔
    通孔
    27-PowerDIP Module (1.205, 30.60mm)
    27
    600V
    -
    -
    2007
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    103W
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    30A
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    13.32g
    Motion SPM® 3
    e3
    yes
    27
    IGBT
    Tin (Sn)
    125°C
    -20°C
    DUAL
    1
    15V
    FSBB30CH60
    1
    2500Vrms
    800mV
    400V
    3 Phase
    450V
    30A
    500μA
    103W
    5mA
    2.75V
    30A
    600V
    600V
    4.5mm
    44mm
    27mm
    无SVHC
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