Microsemi Corporation APTMC60TLM14CAG
- 收藏
- 对比
APTMC60TLM14CAG
1619-APTMC60TLM14CAG
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
SP6
大陆
立即发货

MOSFET 4N-CH 1200V 219A SP6C
1最小包装量--
APTMC60TLM14CAG详情
Microsemi Corporation APTMC60TLM14CAG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
IN PRODUCTION (Last Updated: 3 weeks ago)
工厂交货时间
36 Weeks
底架
Chassis Mount, Through Hole
安装类型
底座安装
包装/外壳
SP6
引脚数
6
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
219A Tc
Number of Elements
1
Turn Off Delay Time
150 ns
操作温度
-40°C~150°C TJ
包装
Bulk
已出版
2014
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
925W
接通延迟时间
35 ns
场效应管类型
4 N-Channel (Three Level Inverter)
Rds On(Max)@Id,Vgs
12m Ω @ 150A, 20V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.4V @ 30mA (Typ)
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
8400pF @ 1000V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
483nC @ 20V
上升时间
40ns
漏源电压 (Vdss)
1200V 1.2kV
下降时间(典型值)
70 ns
连续放电电流(ID)
219A
最大漏极电流 (Abs) (ID)
215A
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Silicon Carbide (SiC)
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
APTMC60TLM14CAG拓展信息
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation








哦! 它是空的。