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首页 全部分类 ARF476FL vs STE70NM50

ARF476FL备选型号: STE70NM50

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  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 功率 - 输出
  • 场效应管技术
  • 电压-测试
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  • 包装/外壳
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 系列
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 配置
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs（最大值）
  • 阈值电压
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Microsemi Corporation
    ARF476FL
    Microsemi Corporation
    Trans MOSFET N-CH 500V 10A 8-Pin
    IN PRODUCTION (Last Updated: 3 weeks ago)
    29 Weeks
    Screw
    8
    2
    Tray
    1998
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    175°C
    -55°C
    HIGH VOLTAGE
    910W
    FLAT
    未说明
    10A
    128MHz
    未说明
    不合格
    增强型MOSFET
    5.1 ns
    15mA
    AMPLIFIER
    4.1ns
    500V
    4 ns
    2 N-Channel (Dual) Common Source
    10A
    30V
    16dB
    900W
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    150V
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
    -
  • STMicroelectronics
    STE70NM50
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 500V 70A ISOTOP
    -
    -
    Chassis Mount, Screw
    4
    70A Tc
    Tube
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    UNSPECIFIED
    -
    70A
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    51 ns
    -
    SWITCHING
    58ns
    -
    46 ns
    -
    30A
    30V
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    底座安装
    ISOTOP
    SILICON
    150°C TJ
    MDmesh™
    50mOhm
    500V
    UPPER
    STE70
    4
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    600W
    ISOLATED
    N-Channel
    50m Ω @ 30A, 10V
    5V @ 250μA
    7500pF @ 25V
    266nC @ 10V
    ±30V
    4V
    500V
    280A
    9.1mm
    38.2mm
    25.5mm
    无SVHC
    无
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