STMicroelectronics STE40NC60
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STE40NC60
2381-STE40NC60
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
ISOTOP
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MOSFET N-CH 600V 40A ISOTOP
--最小包装量--
STE40NC60详情
STMicroelectronics STE40NC60重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
工厂交货时间
8 Weeks
底架
Chassis Mount, Panel, Screw
安装类型
底座安装
包装/外壳
ISOTOP
引脚数
4
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
40A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
460W Tc
Turn Off Delay Time
41 ns
操作温度
150°C TJ
包装
Tube
系列
PowerMESH™ II
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
电阻
130mOhm
电压 - 额定直流
600V
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
额定电流
40A
基本部件号
STE40
引脚数量
4
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
460W
箱体转运
ISOLATED
接通延迟时间
49 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
130m Ω @ 20A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
11100pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
430nC @ 10V
上升时间
42ns
Vgs(最大值)
±30V
下降时间(典型值)
26 ns
反向恢复时间
685 ns
连续放电电流(ID)
40A
栅极至源极电压(Vgs)
30V
漏源击穿电压
600V
隔离电压
2.5kV
高度
9.1mm
长度
38.2mm
宽度
25.5mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
STE40NC60拓展信息
STMicroelectronics
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