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首页 全部分类 AS4C16M32MD1-5BINTR vs IS43TR16640A-15GBL

AS4C16M32MD1-5BINTR备选型号: IS43TR16640A-15GBL

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  • 端子表面处理
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  • 组织结构
  • 输出特性
  • 内存宽度
  • 地址总线宽度
  • 密度
  • 待机电流-最大值
  • I/O类型
  • 电压 - 供电 （最大值）
  • 电压 - 供电 （最小值）
  • 刷新周期
  • 顺序突发长度
  • 交错突发长度
  • 长度
  • 座位高度(最大)
  • Alliance Memory, Inc.
    AS4C16M32MD1-5BINTR
    Alliance Memory, Inc.
    IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 90BGA
    8 Weeks
    表面贴装
    90-VFBGA
    90
    90-FBGA (8x13)
    Volatile
    -40°C~85°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2014
    活跃
    3 (168 Hours)
    85°C
    -40°C
    1.7V~1.95V
    200MHz
    Parallel
    512Mb 16M x 32
    200MHz
    5ns
    DRAM
    Parallel
    15ns
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IS43TR16640A-15GBL
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    DRAM 1G, 1.5V, (64M x 16) 1300Mhz DDR3 SDRAM
    -
    表面贴装
    96-TFBGA
    96
    -
    Volatile
    0°C~95°C TC
    Tray
    -
    Discontinued
    3 (168 Hours)
    -
    -
    1.5V
    -
    -
    1Gb 64M x 16
    667MHz
    20ns
    DRAM
    Parallel
    15ns
    ROHS3 Compliant
    YES
    190mA
    e1
    96
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    AUTO SELF REFRESH MODE, ALSO OPERATES AT 1.35 V NOMINAL SUPPLY
    8542.32.00.32
    BOTTOM
    260
    1
    0.8mm
    10
    不合格
    1
    SYNCHRONOUS
    16b
    64MX16
    3-STATE
    16
    16b
    1 Gb
    0.015A
    COMMON
    1.575V
    1.425V
    8192
    48
    48
    13mm
    1.2mm
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