AS4C1M16S-7TCN备选型号: CY7C1021DV33-10ZSXIT

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  • RoHS状态
  • 无铅
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 基本部件号
  • 电源电流
  • 输出特性
  • 内存宽度
  • 待机电流-最大值
  • 最高频率
  • I/O类型
  • 同步/异步
  • 字长
  • 待机电压-最小值
  • 辐射硬化
  • Alliance Memory, Inc.
    IC SDRAM 16MBIT 143MHZ 50TSOP
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    50-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
    50
    Volatile
    0°C~70°C TA
    Tray
    2012
    yes
    活跃
    3 (168 Hours)
    50
    EAR99
    AUTO/SELF REFRESH
    8542.32.00.02
    3V~3.6V
    DUAL
    未说明
    1
    3.3V
    0.8mm
    未说明
    50
    3.3V
    3.6V
    3V
    16Mb 1M x 16
    1
    SYNCHRONOUS
    70mA
    143MHz
    5.4ns
    DRAM
    Parallel
    16b
    1MX16
    2ns
    12b
    16 Mb
    1.1mm
    21.08mm
    10.29mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Cypress Semiconductor Corp
    CYPRESS SEMICONDUCTOR CY7C1021DV33-10ZSXIT SRAM, 1MBIT, PARALLEL, 10NS, TSOP-44
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
    44
    Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tape & Reel (TR)
    1996
    yes
    活跃
    3 (168 Hours)
    44
    -
    -
    -
    3V~3.6V
    DUAL
    260
    1
    3.3V
    0.8mm
    30
    44
    3.3V
    3.63V
    3V
    1Mb 64K x 16
    1
    -
    -
    -
    -
    SRAM
    Parallel
    -
    -
    10ns
    16b
    1 Mb
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    e4
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    CY7C1021
    60mA
    3-STATE
    16
    0.003A
    100MHz
    COMMON
    Asynchronous
    16b
    2V
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