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首页 全部分类 AS4C1M16S-7TCN vs IS42S16100E-7TL

AS4C1M16S-7TCN备选型号: IS42S16100E-7TL

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  • 包装
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  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • HTS代码
  • 电压 - 供电
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 功能数量
  • 电源电压
  • 端子间距
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 工作电源电压
  • 电源电压-最大值(Vsup)
  • 电源电压-最小值(Vsup)
  • 内存大小
  • 端口的数量
  • 操作模式
  • 最大电源电流
  • 时钟频率
  • 访问时间
  • 内存格式
  • 内存接口
  • 数据总线宽度
  • 组织结构
  • 写入周期时间 - 字符、页面
  • 地址总线宽度
  • 密度
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • JESD-609代码
  • 电源电流
  • 输出特性
  • 内存宽度
  • 待机电流-最大值
  • I/O类型
  • 刷新周期
  • 顺序突发长度
  • 交错突发长度
  • 座位高度(最大)
  • 辐射硬化
  • Alliance Memory, Inc.
    AS4C1M16S-7TCN
    Alliance Memory, Inc.
    IC SDRAM 16MBIT 143MHZ 50TSOP
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    50-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
    50
    Volatile
    0°C~70°C TA
    Tray
    2012
    yes
    活跃
    3 (168 Hours)
    50
    EAR99
    AUTO/SELF REFRESH
    8542.32.00.02
    3V~3.6V
    DUAL
    未说明
    1
    3.3V
    0.8mm
    未说明
    50
    3.3V
    3.6V
    3V
    16Mb 1M x 16
    1
    SYNCHRONOUS
    70mA
    143MHz
    5.4ns
    DRAM
    Parallel
    16b
    1MX16
    2ns
    12b
    16 Mb
    1.1mm
    21.08mm
    10.29mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IS42S16100E-7TL
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II
    -
    表面贴装
    表面贴装
    50-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
    50
    Volatile
    0°C~70°C TA
    Tray
    -
    yes
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    50
    EAR99
    AUTO/SELF REFRESH
    -
    3V~3.6V
    DUAL
    260
    1
    3.3V
    0.8mm
    40
    50
    3.3V
    3.6V
    3V
    16Mb 1M x 16
    1
    -
    -
    143MHz
    5.5ns
    DRAM
    Parallel
    16b
    1MX16
    -
    12b
    16 Mb
    -
    20.95mm
    -
    符合RoHS标准
    -
    Tin
    e3
    130mA
    3-STATE
    16
    0.002A
    COMMON
    2048
    1248FP
    1248
    1.2mm
    无
  • 添加型号
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