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首页 全部分类 AS4C256M8D2-25BCN vs IS43DR16320D-25DBL

AS4C256M8D2-25BCN备选型号: IS43DR16320D-25DBL

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  • 电源
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  • 端口的数量
  • 操作模式
  • 组织结构
  • 输出特性
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  • I/O类型
  • 刷新周期
  • 顺序突发长度
  • 交错突发长度
  • 宽度
  • 座位高度(最大)
  • 长度
  • Alliance Memory, Inc.
    AS4C256M8D2-25BCN
    Alliance Memory, Inc.
    IC SDRAM 2GBIT 400MHZ 60BGA
    8 Weeks
    表面贴装
    60-TFBGA
    60-FBGA (8x10)
    Volatile
    0°C~95°C TC
    Tray
    2014
    活跃
    3 (168 Hours)
    95°C
    0°C
    1.7V~1.9V
    400MHz
    Parallel
    2Gb 256M x 8
    400MHz
    57.5ns
    DRAM
    Parallel
    15ns
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IS43DR16320D-25DBL
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA
    8 Weeks
    表面贴装
    84-TFBGA
    -
    Volatile
    0°C~70°C TA
    Tray
    -
    活跃
    3 (168 Hours)
    -
    -
    1.7V~1.9V
    -
    -
    512Mb 32M x 16
    400MHz
    400ps
    DRAM
    Parallel
    15ns
    ROHS3 Compliant
    YES
    e1
    84
    EAR99
    锡银铜
    可编程赌场延迟
    8542.32.00.28
    BOTTOM
    未说明
    1
    1.8V
    0.8mm
    未说明
    R-PBGA-B84
    不合格
    1.9V
    1.8V
    1.7V
    1
    SYNCHRONOUS
    32MX16
    3-STATE
    16
    0.025A
    536870912 bit
    COMMON
    8192
    48
    48
    8mm
    1.2mm
    12.5mm
  • 添加型号
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